minat_dünnschicht
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Flashcards
Welches der genannten Verfahren ist kein PVD Verfahren?
Geben Sie die Druckbereiche in Zehnerpotenzen von millibar an für folgende Vakuumtypen:
- Vorvakuum:
- Hochvakuum:
- Ultrahochvakuum:
- Vorvakuum: 1000 bis 10-1 mBar
- Hochvakuum: 10-2 bis 10-7 mBar
- Ultrahochvakuum: unter 10-7 mBar
Mit welchen Instrumenten kann Vakuum quantitativ gemessen werden? (min. 2 Nennungen)
- Pirani- oder Membranzellen
- Ionisationszellen (Penning)
- Heisskathoden-Ionisationszellen
Wie nennt man die morphologisch gleichförmige Abscheidung von Substrat-identischem Material auf einem Substrat?
Sie ätzen einen Si-Wafer in KOH-Lösung. Bei welcher Kristallorientierung hat die geätzte Struktur senkrechte Wände zur Waferoberfläche?
Bei welchen Produkten wird kristallrichtungs-selektives Ätzen heute angewandt?
Druckkopf-Tintenstrahldrucker
Was ist der wichtigste Vorteil von „Reaktiv-Ionenätzen" gegenüber kristallrichtungsselektivem Nassätzen?
Es ist immer anisotrop
Kann man in einer Sputteranlage auch „Reaktiv-Ionenätzen"?
Mit welchen Geräten kann ein Vor- oder Grobvakuum erzeugt werden?
Drehschieber-,Skorptions- oder Membranpumpen
Mit welchen Geräten kann ein Hochvakuum erzeugt werden?
Turbo-,Kryo- oder Diffusionspumpen
Mit welchen Geräten kann ein Ultra-Hochvakuum erzeugt werden?
Turbo- oder Ionenpumpen
Erklären Sie die Abkürzung PVD und nennen Sie die zwei wichtigsten Vertreter dieser
Technologie.
Erklärung: Physical Vapour Deposition
Vertreter: Aufdampfen im Hochvakuum und - Aufsputtern
Zu welcher Gruppe der Dünnschichttechnologien gehört das Aufdampfen?
PVD: Physical Vapour Deposition
Was bedeutet die Abkürzung "CVD"?
Chemical Vapour Deposition
Durch welchen Prozessparameter unterscheiden sich LPCVD und PECVD am meisten?
Für welches Material muss man beim Sputtern eine Hochfrequenz-Wechselspannung
an das Target legen?
Warum verwendet man zum Sputtern meistens Argon als Sputtergas?
Da es möglich ist, sowohl ESCA wie auch Auger-Spektren aufzunehmen, während man die Probe mit Argon-Plasma absputtert, können auch Tiefenprofile der Elementverteilung in der Probe gewonnen werden. ->skript s27
Kann man im Prinzip in einer Sputteranlage auch einen Trockenätzprozess durchführen?
Welche Kristallrichtung im Silizium wird von alkalischen Ätzmedien nicht angegriffen?
Warum kann man bei kristallrichtungs-selektivem, anisotropen Ätzen in Si meistens keinen
Fotoresist als Ätzmaske einsetzen?
würde Zerstört werden
Welche Beschichtungsverfahren gehören zu den PVD-Verfahen? (mind. 2)
- Aufdampfen
- Aufsputtern
Welche sind die Ausgangsgase bei der LPCVD-Abscheidung von Silizium-Nitrid?
SiH4 (nicht bestätigt)
Was bedeutet LPCVD und PECVD?
LPCVD: Low pressure chemical vapor deposition
PECVD: plasma enhanced ...
Durch welchen Prozessparameter unterscheiden sich LPCVD und PECVD Prozesse am meisten?
Temperatur
Womit misst man die Schichtdicke während eines Aufdampfrozesses?
Schwingquarz
Zu welcher Gruppe der Dünnschichttechnologien gehört das Aufdampfen?
PVD: Physical vapor deposition
Was bedeutet die Abkürzung "CVD"?
Chemical vapor deposition
Durch welchehn Prozessparameter unterscheiden sich LPCVD und PECVD am meisten?
Wie nennt man das Verhältnis zwischen der Aetzrate des zu ätzdnden Material und der Aetzrate des Maskiermaterials?
Aetzratenselektivität
Welche Kristallrichtung im Silizium wird von alkalischen Aetzmedien nicht angegriffen?
Was ist der wesentliche Unterschied zwischen einer Reaktiv-Ionenätzanlage und einer
Sputteranlage?
Beim Ätzen wird Material abgetragen, beim Sputtern aufgetragen
Nicht vollständig prüfen
Wie misst man beim RIE einer transparenten Schicht (z.B. Si-Nitrid) ob die Schicht
bereits durchgeätzt Wurde?
Endpoint-Detektor, alpha-step
Welche Eigenschaft müssen die Reaktionsprodukte beim Trockenätzen generell
haben?
Wie definiert sich die Selektivität bei einem Resist?
Müsste theorethisch schlecht sein, das man ja will das sich dieses Auflösen tut. (Lösung nicht bestätigt)
Warum können Trockenätzverfahren das Material unabhängig von der Kristallorientierung anisotrop ätzen?
Plasma und Sputterätzen greifen die Molekühle einzeln an und entfernt diese.
Mit welchen Aetzlösungen kann man Silizium nasschemisch anisotrop ätzen und wie muss das Silizium morphologisch beschaffen sein, damit es funktioniert?
- KOH-Ätzen
- Silizium in "100" Einkristall.
Welche Prozesse werden zu den "Trockenätztechniken" gezählt?
- Plasmaätzen (PE)
- Reaktiv-Ionenätzen (RIE)
- Sputterätzen
