Verfahren und Analysemethoden der MST
Vorlesung 9
Vorlesung 9
Kartei Details
| Karten | 25 |
|---|---|
| Sprache | Deutsch |
| Kategorie | Technik |
| Stufe | Universität |
| Erstellt / Aktualisiert | 11.04.2013 / 11.04.2013 |
| Weblink |
https://card2brain.ch/box/verfahren_und_analysemethoden_der_mst7
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Benennen Sie die drei folgenden Ätzprofile bezüglich ihrer Isotropie:
a) Isotropes Ätzprofil
b) anisotropes Ätzprofil (z.B. Trockenätzen)
c) anisotropes Ätzprofil (z.B. KOH-Ätzen)
Wie ist der Anisotropiefaktor beim Ätzen definiert?
A = 1 - (laterale Ätzrate/vertikale Ätzrate)
Welcher der Ätzprofile in Abbildung hat einen Anisotropiefaktor von 1?
Gegeben seinen zwei Materialien 1 und 2. Wodurch ist die Selektivität beim gleichzeitigen Ätzen
beider Materialien gegeben?
S = Verhältniss der Ätzraten = r1/r2
Wodurch erfolgt der Materialabtrag beim chemischen Ätzen?
Chemischer Angriff und auflösen des Materials
Wodurch erfolgt der Materialabtrag beim physikalischen Ätzen?
Impuls der auftreffenden Teilchen
Welches Verfahren ist selektiver: Chemisches oder physikalisches Ätzen? Begründen Sie!
Wie lautet die chemische Reaktionsgleichung beim nasschemischen Ätzen von SiO2 durch Flusssäure (HF)?
SiO2 + 4HF --> SiF4 + 2H2O
Welche beiden Säuren werden beim nasschemischen, isotropen Ätzen von Silicium kombiniert?
Flusssäure (HF) und Salpetersäure (HNO3)
Nennen Sie den Namen der Standard-Chemikalie, die ein anisotropes Ätzen von Silicium bewirkt.
KOH
Benennen Sie die vier Teilschritte beim Trockenätzen.
- Erzeugung reaktiver Teilchen
- Transport oder Beschleunigung der teilchen zum Substrat
- Ätzen der Substratoberfläche
- Abtransport der Reaktionsprodukte
Nennen Sie mindestens vier Anwendungen für das Trockenätzen in der MST.
- Strukturierung von Dielektrika (Nitrid, Oxid)
- Strukturierung von Polysilicium
- Tiefenätzen von Silicium (DRIE)
- Strippen von Resist durch Veraschen (Plasmaätzen)
- Strukturierung von Metallen durch RIBE (Reaktive ion beam etching)
Was ist der Unterschied im Aufbau zwischen Plasmaätz- und Barrelätzanlagen?
Bei Plasmaätzanlagen ist gegenüber der Barrelätzanlage die Plasma und Ätzkammer nicht voneinander getrennt
Nennen Sie ein Beispiel für ein chemisches Trockenätzverfahren
Plasmaätzen
Nennen Sie ein Beispiel für physikalisches Trockenätzverfahren.
Sputterätzen und Ionenstrahlätzen
Welches Ätzverfahren hat eine höhere Anisotropie: Chemisches oder physikalisches Trockenätzen? Begründen Sie!
Was ist der Unterschied im Aufbau zwischen Sputterätz- und Ionenstrahlätzanlagen?
Beim Sputterätzen sind im Vergleich zum Ionenätzen die Plasma und Ätzkammer nicht getrennt
Nennen Sie mind. vier mögliche Probleme beim Sputterätzen
- Redeposition
- Erosionsgräben
- Absputtern der Maske
- Facettenbildung
- Implantation der Ionen
Was ist das Besondere am reaktiven Ionenätzen?
Kombination aus chemischen und physikalischen Trockenätzen.
Aufgrund welcher Effekte werden senkrechte Wände beim reaktiven Ionenätzen möglich?
Polymerablagerungen am Boden werden durch Sputterprozesse entfernt
Ablagerungen an der Seitenwand bleiben da kein Ionenbeschuss
Polymere verhindern weitere chemische Reaktion
Seitenwand ist passiviert und wird nicht mehr geäzt
Warum ist das RIE Ätzen für die CMOS Technologie so wichtig?
Tiefe Gräben (trenches) erlauben hohe Kapazitäten von integrierten Kondensatoren bei geringem Flächenbedarf
Wofür steht die Abkürzung DRIE?
Deep reactive ion etching
Was ist das Spezielle am Ätzvorgang des ‚Bosch-Prozesses’ zum Tiefenätzen von Silizium?
Ätzvorgang durch kompletten Wafer
Welche Prozessgase werden beim Bosch-Prozess alterniert?
SF6 für Ätzen und C4F8 für Passivierung
Nennen Sie die 5 Teilschritte bei der ‚step and repeat’ Nanoimprint Lithographie.
- Align stamp
- imprint
- step and repeat
- release stamp
- etch residue
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