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Karten	10
Sprache	Deutsch
Kategorie	Informatik
Stufe	Universität
Erstellt / Aktualisiert	12.01.2014 / 08.11.2015
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Welche Hauptgruppen des Periodensystems enthalten elementare Halbleiter?

Elementare Halbleiter existieren nur in der vierten Hauptgruppe. Sogenannte Verbindungshalbleiter sind Mischungen aus den Hauptgruppen 3-5 oder 2-6.

Elementare Halbleiter existieren nur in der vierten Hauptgruppe. Sogenannte Verbindungshalbleiter sind Mischungen aus den Hauptgruppen 1 oder 7.

Elementare Halbleiter hat der Teufel erfunden

Tastatur-Befehle:

= drehen,

= vor-/rückwärts,

= scrollen

Elementare Halbleiter existieren nur in der vierten Hauptgruppe. Sogenannte Verbindungshalbleiter sind Mischungen aus den Hauptgruppen 3-5 oder 2-6.

Elementare Halbleiter existieren nur in der vierten Hauptgruppe. Sogenannte Verbindungshalbleiter sind Mischungen aus den Hauptgruppen 1 oder 7.

Elementare Halbleiter hat der Teufel erfunden

Was beschreibt die Quanteneffizienz eines Kamerasensors?

Die Quanteneffizienz eines Sensors beschreibt, wie viele Ladungsträgerpaare pro Photon erzeugt und detektiert werden.

Die Quanteneffizienz eines Sensors beschreibt, wie viele Ladungsträgerpaare pro Elektron erzeugt und detektiert werden.

Die Quanteneffizienz eines Sensors beschreibt, wie viele Ladungsträgerpaare pro Photon in einer Sekunde erzeugt und detektiert werden.

Tastatur-Befehle:

= drehen,

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Die Quanteneffizienz eines Sensors beschreibt, wie viele Ladungsträgerpaare pro Photon erzeugt und detektiert werden.

Die Quanteneffizienz eines Sensors beschreibt, wie viele Ladungsträgerpaare pro Elektron erzeugt und detektiert werden.

Die Quanteneffizienz eines Sensors beschreibt, wie viele Ladungsträgerpaare pro Photon in einer Sekunde erzeugt und detektiert werden.

Warum muss die Basis eines Transistors dünn und schwach dotiert sein?

Da die Basis sehr dünn ist, rekombinieren nur wenige dieser Elektronen mit Löchern in der Basis.

Die Basis ist nur schwach p-dotiert, daher ist die dortige Raumladungszone auch nur schwach ausgeprägt.

Da die Basis sehr dünn ist, rekombinieren nur wenige dieser Protonen mit Löchern in der Basis.

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Da die Basis sehr dünn ist, rekombinieren nur wenige dieser Elektronen mit Löchern in der Basis.

Die Basis ist nur schwach p-dotiert, daher ist die dortige Raumladungszone auch nur schwach ausgeprägt.

Da die Basis sehr dünn ist, rekombinieren nur wenige dieser Protonen mit Löchern in der Basis.

Was passiert im Halbleiter, wenn man eine Vorspannung in Durchlassrichtung der Diode anlegt?

Die Raumladungszone wird breiter, da das elektrische Feld in ihr verstärkt wird. Dadurch gibt es keine Diffusion der Majoritätsträger auf die jeweils andere Seite des pn-Übergangs. Es gibt nur einen sehr kleinen Strom durch spontan entstehende Ladungs

Raumladungszone verringert sich bzw wird ganz abgebaut. Die Löcher im p-Gebiet werden vom negative Pol der Spannungsquelle, die Elektronen im n-Gebiet vom positiven Pol der Spannungsquelle angezogen. -> Stromfluss über die pn-Grenze ist möglich..

Tastatur-Befehle:

= drehen,

= vor-/rückwärts,

= scrollen

Die Raumladungszone wird breiter, da das elektrische Feld in ihr verstärkt wird. Dadurch gibt es keine Diffusion der Majoritätsträger auf die jeweils andere Seite des pn-Übergangs. Es gibt nur einen sehr kleinen Strom durch spontan entstehende Ladungs

Raumladungszone verringert sich bzw wird ganz abgebaut. Die Löcher im p-Gebiet werden vom negative Pol der Spannungsquelle, die Elektronen im n-Gebiet vom positiven Pol der Spannungsquelle angezogen. -> Stromfluss über die pn-Grenze ist möglich..

Was sind Donatoratome bei der Dotierung von Silizium?

Um p-leitendes Silizium zu erhalten, baut man Fremdatome mit 3 Valenzelektronen ein -2 Valenzelektronen werden eine Bindung mit den Silizium-Atomen eingehen können. Das 3. Elektron lässt sich leicht entfernen wobei ein freies Elektron geschaffen ist.

Um n-leitendes Silizium zu erhalten, baut man Fremdatome mit 5 Valenzelektronen ein -4 Valenzelektronen werden eine Bindung mit den Silizium-Atomen eingehen können. 5. Elektron lässt sich leicht entfernen wobei ein freies Elektron geschaffen ist.

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Um p-leitendes Silizium zu erhalten, baut man Fremdatome mit 3 Valenzelektronen ein -2 Valenzelektronen werden eine Bindung mit den Silizium-Atomen eingehen können. Das 3. Elektron lässt sich leicht entfernen wobei ein freies Elektron geschaffen ist.

Um n-leitendes Silizium zu erhalten, baut man Fremdatome mit 5 Valenzelektronen ein -4 Valenzelektronen werden eine Bindung mit den Silizium-Atomen eingehen können. 5. Elektron lässt sich leicht entfernen wobei ein freies Elektron geschaffen ist.

Quanteneffizienz bei kurzwelligen Photonen?

Die Quanteneffizienz nimmt bei kurzwelligen Photonen ab, da diese bereits in den inaktiven Oberflächenschichten absorbiert werden.

Die Quanteneffizienz nimmt bei kurzwelligen Photonen zu, da diese bereits in den inaktiven Oberflächenschichten absorbiert werden.

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= drehen,

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Die Quanteneffizienz nimmt bei kurzwelligen Photonen ab, da diese bereits in den inaktiven Oberflächenschichten absorbiert werden.

Die Quanteneffizienz nimmt bei kurzwelligen Photonen zu, da diese bereits in den inaktiven Oberflächenschichten absorbiert werden.

Quanteneffizienz bei langwelligen Photonen?

Langwellige Photonen dringen zu tief in den Halbleiter ein, so dass die entstehenden Ladungsträgerpaare nicht mehr die Raumladungszone erreichen und dort getrennt werden können.

Langwellige Photonen werden direkt an der Oberfläche des Halbleiters absorbiert, so dass die entstehenden Ladungsträgerpaare nicht mehr die Raumladungszone erreichen und dort getrennt werden können.

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Langwellige Photonen dringen zu tief in den Halbleiter ein, so dass die entstehenden Ladungsträgerpaare nicht mehr die Raumladungszone erreichen und dort getrennt werden können.

Langwellige Photonen werden direkt an der Oberfläche des Halbleiters absorbiert, so dass die entstehenden Ladungsträgerpaare nicht mehr die Raumladungszone erreichen und dort getrennt werden können.

Der durch die Basis-Emitter-Diode fließende Strom wird in einer Emitterschaltung immer weiter erhöht, bis die Kollektor- Emitter-Strecke voll durchgeschaltet ist. Was beobachtet man bei der Kollektor-Emitter-Spannung?

Sie bleibt nicht konstant

Sie bleibt nahezu konstant

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Sie bleibt nicht konstant

Sie bleibt nahezu konstant

Was ist eine Emitterschaltung?

Grundschaltung mit Lastwiderstand im Kollektorzweig heißt Emitterschaltung.

Grundschaltung mit Lastwiderstand im Emitterzweig heißt Emitterschaltung.

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Grundschaltung mit Lastwiderstand im Kollektorzweig heißt Emitterschaltung.

Grundschaltung mit Lastwiderstand im Emitterzweig heißt Emitterschaltung.

Wie schafft man es, eine Wechselspannung in einer Emitterschaltung zu verstärken, obwohl die Basis-Emitter-Diode immer in Durchlassrichtung betrieben werden muss?

Durch einstellen eines geeigneten Arbeitspunktes ????

Durch einstellen eines ungeeigneten Arbeitspunktes ????

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Durch einstellen eines geeigneten Arbeitspunktes ????

Durch einstellen eines ungeeigneten Arbeitspunktes ????

TGAI 5 - Additional

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