Z1, Register 4: Dioden, Transistoren

Sie bestehen hauptsächlich aus Silizium und Germanium. 

Sie bestehen aus steuerbaren Halbleiterschichten. 

Silizium mit 4 Valenzelektronen hat einen grossen el. Widerstand. Das Silizium wird daher mit dotiert mit Bor (3 ) oder Arsen (5). 

Dadurch entsteht eine Elektronenüberschuss (P-Typ) oder Elektronenmangel (N-Typ), die Schichten zusammengebracht ergibt einen P-N-Übergang

Anode = + 

Kathode = -

• Zu hoher Strom in Durchlassrichtung
• Zu hohe Spannung in Sperrrichtung
• Zu hohe Temperatur
• Mechanische Beanspruchung

• Z-Diode ist ein Halbleiterbauelement, das in Sperrichtung leitet, wenn eine bestimmte Spannung überschritten wird.
• In Durchlassrichtung verhält sie sich wie eine normale Diode

• Schutz von el. Bauteilen vor Überspannung
• Spannungsstabilisierung

- Wechselstrom in Gleichstrom umwandeln
- Schaltungen schützen vor Rückströmen und Überspannungen. 
- Spannung regulieren, um eine konstante Spannung zu gewährleisten. 
- Signalverarbeitung:  werden in Signalbegrenzern, Modulatoren und vielen anderen Schaltungen eingesetzt. 

Ein Transistor ist ein elektronisches Bauteil, das den Fluss von elektrischem Strom steuert und verstärkt.

Er besteht aus Halbleitermaterial.

• Der Bipolare Transistor besteht aus drei aufeinanderfolgenden Halbleiterschichten
• N P N oder P N P Schichten
• Über die Basis werden die entsprechenden Schichten leitend gemacht, so dass Strom fliessen kann.
• Er ist stromgesteuert und hat entsprechend einen Leistungsverlust

• Basis (Ansteuerung)
• Emitter (Pfeil der die Stromrichtung anzeigt)
• Kollektor (Last-Seite)

Liegt der Verbraucher im Emitterkreis, wirkt der Spannungsabfall über Basis-Emitter als Spannungsteiler, der Gesamtwiderstand des Lastkreieses ist dadruch grösser, es liesst weniger Strom. Die Last hat nicht die volle Spannung, der Transistor ist unter Umständen nicht vollständig Leitend. 

- Basis-Emitter ca. 0.7 V

- Basis-Emitter min. 1 mA

Mittels Diodenprüfer (Multimeter) auf Durchlass prüfen. 

1. Basis bestimmen

2. Basis-Emitter = höherer Messwert

3. Basis-Kollektor = kleinerer Messwert

Eine Schaltung zweier Transistoren ermöglich hohe Schaltleistungen mit hoher Übersetzung (- 1:10'000)

Sie verhindern das Leckströme die Darlingtonschaltung ansteuern. 

Leckströme werden über R1 und R2 an Masse geleitet. 

Hohe Schaltfrequenzen möglich