HB9ID Amateurfunkkurse
Fragen aus dem blauen Moltecht Lehrmitten für die Amateurfunk Prüfung Klasse E / HB3Fragen aus den BAKOM Fragenkatalog Vorschrften (Vers. 2023)
Fragen aus dem blauen Moltecht Lehrmitten für die Amateurfunk Prüfung Klasse E / HB3Fragen aus den BAKOM Fragenkatalog Vorschrften (Vers. 2023)
384
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Set of flashcards Details
Flashcards | 384 |
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Students | 26 |
Language | Deutsch |
Category | Technology |
Level | Other |
Created / Updated | 13.04.2024 / 15.05.2025 |
Weblink |
https://card2brain.ch/box/20240413_moltrecht_blau_amateurfunk_fragen
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A: 5040 und 6160 Ω.
B: 5,2 und 6,3 kΩ.
C: 4760 und 6440 Ω.
D: 4,7 und 6,8 kΩ.
A: Ein Metalloxidwiderstand
B: Ein keramischer Drahtwiderstand
C: Ein Kohleschichtwiderstand
D: Ein frei gewickelter Drahtwiderstand aus Kupferdraht
A: 220 Ω
B: 22 Ω
C: 22 kΩ
D: 221 Ω
A: 22 Ω
B: 22 kΩ
C: 221 Ω
D: 220 Ω
A: Je grösser die Plattenoberfläche ist, desto kleiner ist die Kapazität.
B: Je grösser die angelegte Spannung ist, desto kleiner ist die Kapazität.
C: Je grösser der Plattenabstand ist, desto kleiner ist die Kapazität.
D: Je grösser die Dielektrizitätszahl ist, desto kleiner ist die Kapazität.
A: Keramischer Kondensator.
B: Rotorkondensator.
C: Tauchkondensator.
D: Drehkondensator.
A: 0,027 µF
B: 0,3 µF
C: 0,255 µF
D: 2,73 nF
A: Keramischer Kondensator
B: Plattenkondensator
C: Styroflexkondensator
D: Elektrolytkondensator
A: steigt der Wechselstromwiderstand von Kondensatoren bis zu einem Maximum und sinkt dann wieder.
B: steigt der Wechselstromwiderstand von Kondensatoren.
C: sinkt der Wechselstromwiderstand von Kondensatoren.
D: sinkt der Wechselstromwiderstand von Kondensatoren bis zu einem Minimum und steigt dann wieder.
A: Die Induktivität steigt auf 24 µH.
B: Die Induktivität sinkt auf 6 µH.
C: Die Induktivität steigt auf 48 µH.
D: Die Induktivität sinkt auf 3 µH.
A: Durch Stauchen der Spule (Verkürzen der Spulenlänge).
B: Durch Einführen eines Kupferkerns in die Spule.
C: Durch Auseinanderziehen der Spule (Vergrösserung der Spulenlänge).
D: Durch Einbau der Spule in einen Abschirmbecher.
A: leuchten H1 und H2 genau gleich schnell.
B: leuchtet H1 zuerst.
C: leuchtet H2 kurz auf und geht wieder aus. H1 leuchtet.
D: leuchtet H2 zuerst.
A: steigt der Wechselstromwiderstand einer Spule bis zu einem Maximum und sinkt dann wieder.
B: steigt der Wechselstromwiderstand einer Spule.
C: sinkt der Wechselstromwiderstand einer Spule.
D: sinkt der Wechselstromwiderstand einer Spule bis zu einem Minimum und steigt dann wieder.
A: 30 Windungen
B: 180 Windungen
C: 20 Windungen
D: 52 Windungen
A: 850 Windungen
B: 600 Windungen
C: 46 Windungen
D: 30 Windungen
A: 9,2 Volt
B: 1150 Volt
C: 46 Volt
D: 23 Volt
A: genau vier Valenzelektronen enthält.
B: weniger als vier Valenzelektronen enthält.
C: keine Valenzelektronen enthält.
D: mehr als vier Valenzelektronen enthält.
A: bewegliche Elektronenlücken.
B: das Fehlen von Dotierungsatomen.
C: Überschuss an freien Elektronen.
D: das Fehlen von Atomen im Gitter des Halbleiterkristalls.
A: den Stromfluss von N nach P.
B: den Elektronenfluss von P nach N.
C: keinen Stromfluss.
D: den Stromfluss von P nach N.
A: eine geringe Impedanz.
B: eine hohe Induktivität.
C: einen hohen Widerstand.
D: eine hohe Kapazität.
A: Sie nimmt mit zunehmender Sperrspannung zu.
B: Sie nimmt mit abnehmender Sperrspannung zu.
C: Sie erhöht sich mit zunehmender Durchlassspannung.
D: Sie erhöht sich mit zunehmendem Durchlassstrom.
A: Mit einem geringen Strom (Basisstrom) wird ein grosser Strom (Kollektorstrom) gesteuert.
B: Mit einem geringen Strom (Emitterstrom) wird ein grosser Strom (Kollektorstrom) gesteuert.
C: Mit einem geringen Strom (Emitterstrom) wird ein grosser Strom (Basisstrom) gesteuert.
D: Mit einem geringen Strom (Kollektorstrom) wird ein grosser Strom (Emitterstrom) gesteuert.
A: 1000 zu 1 bis 5000 zu 1.
B: 1 zu 100 bis 1 zu 500.
C: 1 zu 50 bis 1 zu 100.
D: 10 zu 1 bis 900 zu 1.
A: PNP-Transistoren benötigen positive, NPN-Transistoren negative Kollektorspannung.
B: NPN-Transistoren benötigen positive, PNP-Transistoren negative Kollektorspannungen.
C: NPN- und PNP-Transistoren benötigen negative Kollektorspannungen.
D: PNP- und NPN-Transistoren benötigen positive Kollektorspannungen.
A: im Kurzschluss.
B: im Leerlauf.
C: in Sperrrichtung.
D: in Durchlassrichtung.
A: Dual-Gate-MOS-FETs
B: NPN- und PNP-Transistoren
C: Isolierschicht-FETs
D: Sperrschicht-FETs
A: Emitter, Drain, Source
B: Emitter, Basis, Kollektor
C: Drain, Source, Kollektor
D: Drain, Gate, Source
A: spannungsgesteuert.
B: thermisch gesteuert.
C: stromgesteuert.
D: ein Gleichspannungsverstärker.