minat

Auflösung:

Welche kleinsten Auflösungen werden aktuell (2016) in der Produktion erreicht?

Auflösung:

Wenn Sie mit einer Numerischen Apertur 0.5 und einer Wellenlänge 193 mn belichten, dann
sind Sie noch weit von der heute maximal erreichten Aufiösung bei Chips entfernt. Man kann
die Numerische Apertur aber deutlich erhöhen, im Prinzip sogar >1. Wie ist dies technisch
möglich?

Mikrotechnik:

Welche Prozesse sind besonders gut fiír so genannte Batch-Prozesse geeignet?

Mikrotechnik:

Wofür steht die Abkürzung MEMS

Mikrotechnik:

Wenn man durch einen <100> Silizium-Wafer von 500 μm Dicke mit Nassätzverfahren
durchätzt, wie gross muss dann das quadratische Fenster im Si3N4 auf der einen Seite sein, um
auf der anderen Seite eine Membran von 300x300 μm2 zu erhalten?

Mikrotechnik:

Sie messen die Resonanzfrequenz(en) fn eines 500 μm langen und 1 μm breiten Cantilevers,
an dessen Spitze eine chemische Reaktion stattfindet. Die Grundfiequenz f0 nimmt ab, sie
messen stattdessen fΔm,< f0 Was ist geschehen?

Bei welchen zweien der folgenden Lithografien muss die Maske zwingend gleich
gross sein wie das Substrat, das man ganzflächig belichten will?

Vorherige:
Proximity-Lithografie
Kontaktlithografie

Welche Methode wendet man bei dem verbleibenden der drei Lithografieverfahren an,
um trotzdem einen ganzen Wafer zu belichten?

(steppen /step&repeat)
Bei welchen Belichtungsparametern kann bei dieser Methode die Auflösung NICHT
verkleinern

Welche Wellenlänge verwendet man heute (2012) zur Massenherstellung von
Mikrochips?

Welche Auflösung (der Leiterbahnen) erreicht man 2012 

Wo unterscheiden sich bei der Photolithographie die verschiedenen Verfahren Kontakt-,Proximity- und Projektions-Lithographie? (3-Skizzen)

Auf welcher Seite ist bei einer optischen Maske ist die Absorberstruktur auf dem Quartz Substrat bei der Kontakt-Lithographie (im Vergleich zum Resist)? Warum? Was ist der Nachteil?

Welches der genannten Verfahren ist kein PVD Verfahren?

Geben Sie die Druckbereiche in Zehnerpotenzen von millibar an für folgende Vakuumtypen:

- Vorvakuum:

- Hochvakuum:

- Ultrahochvakuum:

Mit welchen Instrumenten kann Vakuum quantitativ gemessen werden? (min. 2 Nennungen)

Wie nennt man die morphologisch gleichförmige Abscheidung von Substrat-identischem Material auf einem Substrat?

Sie ätzen einen Si-Wafer in KOH-Lösung. Bei welcher Kristallorientierung hat die geätzte Struktur senkrechte Wände zur Waferoberfläche? 

Bei welchen Produkten wird kristallrichtungs-selektives Ätzen heute angewandt?

Was ist der wichtigste Vorteil von „Reaktiv-Ionenätzen" gegenüber kristallrichtungsselektivem Nassätzen?

Kann man in einer Sputteranlage auch „Reaktiv-Ionenätzen"?

Mit welchen Geräten kann ein Vor- oder Grobvakuum erzeugt werden?

Mit welchen Geräten kann ein Hochvakuum erzeugt werden?

Mit welchen Geräten kann ein Ultra-Hochvakuum erzeugt werden?

Erklären Sie die Abkürzung PVD und nennen Sie die zwei wichtigsten Vertreter dieser
Technologie.

Zu welcher Gruppe der Dünnschichttechnologien gehört das Aufdampfen?

Was bedeutet die Abkürzung "CVD"?

Durch welchen Prozessparameter unterscheiden sich LPCVD und PECVD am meisten?

Für welches Material muss man beim Sputtern eine Hochfrequenz-Wechselspannung
an das Target legen?

Warum verwendet man zum Sputtern meistens Argon als Sputtergas?

Kann man im Prinzip in einer Sputteranlage auch einen Trockenätzprozess durchführen?

Welche Kristallrichtung im Silizium wird von alkalischen Ätzmedien nicht angegriffen?

Warum kann man bei kristallrichtungs-selektivem, anisotropen Ätzen in Si meistens keinen
Fotoresist als Ätzmaske einsetzen?

Welche Beschichtungsverfahren gehören zu den PVD-Verfahen? (mind. 2)

Welche sind die Ausgangsgase bei der LPCVD-Abscheidung von Silizium-Nitrid?

Was bedeutet LPCVD und PECVD?

Durch welchen Prozessparameter unterscheiden sich LPCVD und PECVD Prozesse am meisten?

Womit misst man die Schichtdicke während eines Aufdampfrozesses?

Zu welcher Gruppe der Dünnschichttechnologien gehört das Aufdampfen?

Was bedeutet die Abkürzung "CVD"?