Materialphysik

Vorbereitung Prüfung

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M. H.
Diese Lernkarten decken universitäre Konzepte der Materialphysik ab und behandeln Themen wie Atomgrößen, Phasenübergänge und Elektronenphasen. Sie erklären Begriffe wie Masse- und Atomprozent, Zustandsdiagramme und die Charakterisierung verschiedener Phasen. Die Karteikarten sind besonders nützlich für Studierende der Materialwissenschaften, da sie komplexe physikalische Zusammenhänge verständlich darstellen und praktische Anwendungen aufzeigen.
Karten
73
Lernende
1
Sprache
Deutsch
Kategorie
Naturkunde
Stufe
Universität
Erstellt / Aktualisiert
25.02.2014 / 26.02.2014

Lernkarten

Nennen Sie die Grundbestandeile einer Kristallstrucktur. Beschreibung

Gitter+ Basis

Gitter: - definiert durch 3 Translationsvektoren a1, a2,a3 (nicht coplanar)

- von jedem Pkt r aus betrachtet gleiche Anordnung der Atome in jede Richtung

- Menge aller Pkt r' definieren das Gitter

- zwei Gitterpkte können durch Gittertranslation T miteinander verbunden werden r'=r + T

Basis: - einzelnes Atom (meist bei Metallen)

- mehrere Atome (Gruppe von Atomen)bis >1000

- edem Gitterpkt wird die gleiche Basis zu geordnet

Was ist eine primitives Gitter?

primitive Gitterzelle: Zelle mit kleinst möglichem Volumen

Grundstrucktur für Konstruktion des reziproken Gitters für alle Punkte r,r' gilt stehts:

r' = r + n1a1 +n2a2+ n3a3    n Element Z

 

Was ist die Wigner Seitz Zelle

- mittelsenkrechte Fläche der Verbindungslinien benachbarter Gitterpunkte

- minimales Volumen → primitive Zelle

- reziprokes Gitter1. Brillouim- Zone

- Ermittlung: - von Gitterpkt Verbindungslinien zu all seinen Nachbarpkt.en

konstruieren der Mittelsenkrechten der Verbindungsgeraden

es ergibt sich die Wigner Seitz- Zelle

Durch welche Prozesse lässt sich ein Kristallgitter in sich selbst überführen?

- Gittertransation

- Symmetrieoptionen: Drehen um die eigene Achse durch einen Gitterpkt (z.b. 2pi, pi, 2/3pi, pi/2, andere Drehwinkel nicht mgl)

Spiegelung an der Gitterebene

Inversion→ Rotation um 180° und Spiegelung an einer ebene senkrecht zur Drehachse

 

Welche 2-D Gittertypen gibt es?

5 unterschiedliche

1 x schief winklig, 4 x spezielle Gitter

a) quadratisch a1=a2, winkel 90°

b) hexagonal a1=a2, Winkel =120°

c) rechtwinklig a1 ungleich a2, Winkel 90°

d) zentriert rechtwinklig a1 ungleich a2, Winkel 90°, "Atome in der Basis

Welche 3-D Gittertypen kennen Sie?

14 verschiedene Bravais- Gitter 7 Zelltypen

- kubische Giter (3): a1=a2=a3, alpha =betha=gamma=90°

einfach kubisch primitiv, kubisch raumzentriert, kubisch flächenzentriert

- triklin (1): a1 ungleich a2 ungleich a3, alphs unglich betha ungleich gamma

- monoklin (2): a1 ungleich a2 ungleich a3, alpha = gamma = 90° ungleich betha

primitiv, basiszentriert

-orthorombisch (4) :a1 ungleich a2 ungleich a3,alpha =betha=gamma=90°

primitiv, basiszentriert, flächenzentriert und raumzentriert

- tetragonal (2): a1=a2 ungleich a3, alpha =betha=gamma=90°

primitiv, raumzentriert

- rhomboedrisch (1): a1 = a2 =a3, alpha =betha=gamma ungleich 90°, < 120°

- hexagonal (1):  a1 =a2 ungleich a3, alpha =betha=90°, gamma = 120°

die primitive Zelle des krz-Gitter

- rhomboeder Seitenläng: Wurzel 3/2 a

-winkel zw. sich schneidenden Kanten 109° 28'

- ein Atom pro Einheitszelle

- Volumen der a³/2 a1*(a2xa3)

 

die primitive Zelle des kfz- Gitters

- nur ein Atom pro Zelle V = a³* 0,25

- Rhomboeder: Winkel zw. Kanten 60°

 

- a1=a/2(xdach+ydach); a2=a/2(ydach+zdach), a3=a/2(zdach+xdach)

 

 

Besonderheiten des einfach kubischen Gitters

-  instabil hinsichtlich Scherung

- nur ein Element: Polonium

- Vermeidung gerichteter Bindungen

Vorgehen zur Bestimmung Miller'scher Indizes

- 1. Bestimmen der Schnittpkt mit der Ebene

- 2. Kehrwert der Zahlen bilden

- 3. gemeinsamen Nenner finden

- 4. ganze Zahlen im gleichen Verhälnis

aus a1=3, a2=2, a3=2 wird  (hkl)=(2,3,3)

Parallele Ebenen = Schar {100}

 Flächendiagonale {110}

Raumdiagonale {111}

Merkmale des hexagonalen Gitters

- primitive Einheitszelle: Rhombus mit 120° Winkel zur Basisebene

- hexagonal dichtest gepackt

- Basis mit 2 Atomen

- a1=a2, a3 senkrecht zu (a1,a2) winkel 120°  a3=1,633*a (Abweichungen mgl)

- 1. Atom (000), 2. Atom (2/3 1/3 1/2) r= (2/3a1 + 1/3a2+ 1/2a3)

 

Beziehung zw. hdp und kfz

1. Schicht: Basisebene in hdp entspricht (111) Ebene im Kfz

2. schicht: hdp: Punkte B       kfz: Punkte B

3. Schicht: hdp: Punkte A       kfz: Punkte C

Stapelfolge hdp: ABABAB...   kfz: ABCABC...

je 12 NN → dichtest gepackt, Raumfüllung: 0,74

Phasenumwandlung hdp ⇔kfz z.B. Co

 

 

Diamant- Struktur

- kfz (doppelt besetzt)

- 8 Atome pro Einheitswürfel

- tetraedrische Bindung sp³ hypridisiert

- 4 NN, 12 NNN

- Raumfüllung: 0,34

- Elemente mit dieser Struktur: C, Si, Ge

Charakteristische Eigenschaften der kubischen Gitter : einfach kubisch

- Volumen der Einheitszelle: a^3

- Anzahl der Gitterpkt pro EZ: 1

- Anzahl nächste Nachbarn: 6

- Anzahl NNN: 12

- Packungsverhältnis: 1/6 pi = 0,524

- Anzahl Gitterpkt pro Einheitsvolumen: 1/a³

- Abstand zweier NN: a

- Abstand zweier NNN: 2^(0,5)a

charakteristische Eigenschaften der kubischen Gitter: raumzentriert

- Volumen der primitiven Einheitszelle: 1/2a³

- Volumen der gebräuchlichen EZ: a³

- Anzahl Gitterpkt. in EZ: 2

- Anzahl Gitterpkt pro Einheitsvolumen: 2/a³

- Anzahl NN: 8

- Anzahl NNN: 6

- Abstand NN: 0,866a

- Abstand NNN: a

- Packungsverhältnis: 0,68

chraker. Eigenschaften der kubischen Gitter: kfz

- Volumen gebräuchlische EZ: a³

- Volumen der primitiven EZ: 1/4 a³

- Anzahl Gitterpkt der EZ: 4

- Anzahl Gitterpkt pro Einheitsvolumen: 4/a³

- Anzahl NN: 12

- Anzahl NNN: 6

- Abstand NN: 0,707a

- Abstand NNN: a

- Packungsverhältnis: 0,74

Wie nennet man die Transformation des Kristalgitters inm Fourier Raum?

reziprokes Gitter

Definition der Achsenvektoren im reziproken Gitter

Volumen der Einheitszelle: V= a1(a2xa3)

Achsenvektoren des rez. Gitters b1, b2, b3

b1 = 2pi/V*(a2xa3), b2= 2pi/V*(a3xa1), b1 = 2pi/V*(a1xa2),

reziproker Gittervektor G = 1/m

m ortsraum der Fouriertransformation

Abstand zw. zwei aufeinander folgenden parallelen Ebenen

d(hkl) = 2pi/(Betrag G(hkl)

G(hkl) = hb1 + kb2 + lb3

Bildbeugung = Darstellung reziprokes Gitter

Konstruktion der Wigner- Seitz- Zelle im reziproken Gitter

- Vektor G vom Ursprung zu reziproken Gitter#- Mittelsenkrechte zum Vektor G

- Ebene bildet teil des Randes der 1. Brillouin- Zone

- Oberfläche der ersten Brillouin Zone: Menge dieser Ebenen

- Wellenausbreitung im Kristall (Wellen deren Wellenzahlvektor auf einer dieser Ebenen endet, erfüllt die Beugungsbedingung

- auch höhere Ordnungen

Beispiel reziprokes Gitter: einfach kubisches Gitter  (Berechnung)

a1=a*xdach, a2 = a*ydach, a3= a*zdach    x-, y,z- dach orthogonal zueinander

Volumen: a1*a2xa3 mit a2xa3 = a*ydach x a*zdach= a²*xdach

ergibt sich a*xdach * a²xdach =a³

für das reziproke Gitter:

b1= 2pi*(a2xa3) → (a2xa3) s.o. = a2xdach

b1= 2pi/a*xdach

b2=2pi/a*ydach

b3=2pi/a*zdach

reziprokes Gitter ist ebenfalls kubisch mit Gitterparameter 2pi/a

1.BZ Ränder bei +- 0,5*b1 =+- pi/axdach

+- 0,5*b2 =+- pi/aydach

+- 0,5*b3 =+- pi/azdach

Würfel mit Kantenlänge 2pi/a mit V= (2pi/a)³

Für welche Bereiche ist das reziproke Gitter wichtig?

- elektronentheorie (elektronische Phasen, Bandlücken)

- für Beugung/ Analyse von Kristallstrukturen

⇒ vektorielle Bragg- Gleichung  deltak =G

well delta K genau einem reziproken Gitterentspricht kommt es zur Beugung

Was ist die treibende Kraft bei der Kristallisation aus der Schmelze?

Zustand des Festkörpers muss energetisch günstiger sein als der Ausgangszustand

Hauptsätze für die freie Enthalpie

G = U - TS + pV = H- TS

Intensive thermodynamische Größen

Temperatur, Druck, Spannung, chem. Potential

unabhängig von der Größe des Systems

extensive thermodyn. Größen

freie Energie (isotherme und isochore Prozesse) F= U- TS

Enthalpie: isobare Prozesse H=U+ pV

freie Enthalpie (isotherm und isobare Prozesse) G=U+pV- TS = H- TS

 

 

Was ist innere Energie?

potentielle Energie→Bindungdkräfte, Kristallbaufehler

kinetische Energie→Atomschwingungen, Rotationsenergie

Berechnung von G (T) über cp, H, S

-  Cp = (dH/dT)p  Cp über T →linearer Zusammenhang

- daraus H(T) mit H =0 bei 298 K über Intergral cpdT von 298 bis T (Bild 1)

- daraus S(T) über Cp/T = (dS/dT)p und S(0K) = 0

am Schmelzpkt ist GK = GS und beide Phasen existieren im Gleichgewicht

mit höherem T flüssig

mit niedrigen T fest

 

 

Berechnung der treibenden Kraft bei der Erstarrung

deltaGu = G - Gk

Gs= Hs- TSs

Gk= Hk- TSk

deltaGu= Hs- Hk- T(Ss-Sk) = delta H - T*delta S

Am Schmelzpkt Ts stehen beide Phasen im GGW und delta H entspricht L der Schmelzwärme

deltaGu=  delta H - T*delta S = 0 es folgt deltaS = deltaH/Ts = L/Ts

→deltaGu = delta H - T*delta S =L - ((L/Ts) = L(Tm-T)/Ts = LdeltaT/Ts

Verlauf von G und H bei Temperaturerhöhung

- Verlauf bei Temperaturerhöhung

zugefühte Wärme führt zu

a→b: T-Erhöhung des Festkörpers

b→c: Schmelzen, Schmelzwärme L

c→d: T-Erhöhung der Schmelze

Verlauf bei Temperaturerniedrigung:

- treibende Kraft um Kristallisation zu starten

- Keimbildung und Keimwachstum

- Keimbildung über therm. Fluktuation

- treibende Kraft dela Gu über Unterkühlung

Definition Keim

kleines Volumen mit Kristalliner Anordung

 

homogene Keimbilgung

Keim bildet sich durch therm. Fluktuation

T> Ts: Keim instabil

T<Ts: delta Gu lässt Keim wachsen, grenzflächenbildung wirkt dem entgegen

Energiebetrachtung beim homogenen Keimwachstum

deltaGk = - Vk*deltaGu + A(ks)*gamma(ks)

A... Grenzfläche Keim/Schmelze              gamma... Grenzflächenenergie K/S

Vk= 4/3*pi*r³,   Aks=4*pi*r²

es folgt:

delta Gk = -4/3*pi*r³* deltaGu + 4*pi*r²*gamma(ks)

= delta Gv + deltaGo    Gv...Volumenbeitrag, Go ... Oberflächenbeitrag

 

Berechnung Krit. Keimradius

Ableiten von delta Gk= -4/3*pi*r³*deltaGu + 4*pi*r²*gamma(ks)

ergibt 4*pi*r²*deltaGu + 8pi*r*gamma(ks) =0

umstellen nach r ergibt :

r = 2*gamma(ks)/deltaGu

mit Gu = L*deltaT/Ts

Herleitung krit. Keimbildungsarbeit

In delta Gk= -4/3*pi*r³*deltaGu + 4*pi*r²*gamma(ks)

kritischen Keimbildungsradius einsetzten r= 2*gamma(ks)/delta Gu

deltaGk* = 16*pi*Gamma(ks)³/3(delta Gu)²

mit Gu= L*deltaT/Ts

delta G* = (16*pi*gamma(ks)³*Ts²/3L³)*1/deltaT²

Verhalten von delta G* und r* bei steigender T

nehmen mit steigender Temperatur ab

homogene Nukeationsrate (Clusterbildung)

nr =no *exp (- deltaGr/(k*T))   no=Atomanzahl

no=fo*Co

Häufigkeit einen großen Cluster zu treffen sinkt mit steigendem Radius

heterogene Keimbildung

- Teil der Keimbildung wird durch Tiegelwände oder Schwebeteilchen bereit gestellt

- weniger Gerenzfläche muss neu gebildet werden

- setzt bei geringerem T ein

- delta G* het = f* delta G*hom   mit f kleiner glecih 1

- Benetzungswinkel abhängig cos teta=((gammaWS-gammaKW)/gammaKS)

- f= 0,25*(2+cos teta)(1-cos teta)²

es ergibt sich für teta 180° f=1

teta 0 f=0

teta90°  f=0,5

Keimbildungsrate Nhet rund exp (-deltaG*het/(kT))

Kristallwachstum

- keim wächst unter Anlagerung weitere Bausteine

- höherenergetische Flächen wachsen schnell

- glatte, dicht gepackte A0 wachsen langsamer

Kristallwachstum nach Modell Kossel- Stranski

- Positionen an OF verschiedene Bildungsenergien

- Halbkristalllagen Ao Energie bleibt gleich, Einbau günstiger

- laterales Auffüllen von Stufen

- Einfluss der erstarrungswärme:

Form der Kristallite ist abh. vom Wärmefluss

isotrope Abk glubulitische Kristallite

anisotrope Abk. gerichtete Erstarrung: (2 Fälle)

1. Wärmeabführ über Kristall- Grenzfläche stabil

2. Wärmeabfür über Schmelze- Grenzfläche instabil, Dentriten

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