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HB9ID Amateurfunkkurse

Fragen aus dem blauen Moltecht Lehrmitten für die Amateurfunk Prüfung Klasse E / HB3Fragen aus den BAKOM Fragenkatalog Vorschrften (Vers. 2023)

Fragen aus dem blauen Moltecht Lehrmitten für die Amateurfunk Prüfung Klasse E / HB3Fragen aus den BAKOM Fragenkatalog Vorschrften (Vers. 2023)

384
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J. M.
Study
J. M.
Diese Lernkarten vertiefen technische Grundlagen und Vorschriften des Amateurfunks, insbesondere zu Antennen, Frequenzen, Schaltungen und Sicherheitsbestimmungen. Sie behandeln Themen wie Installation, Erdung, Blitzschutz und Personenschutzabstände sowie relevante elektrotechnische Größen wie Leistung, Widerstand und Feldstärken. Ideal für angehende Funkamateure und Technikinteressierte, die ihr Wissen für Prüfungen oder den praktischen Betrieb erweitern möchten.
Flashcards
384
Students
32
Language
German
Category
Technology
Level
Other
Created / Updated
13.04.2024 / 06.08.2026
  • 1  / 384

Flashcards

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Welches der folgenden Schaltsymbole stellt einen PTC-Widerstand dar?
Ein Widerstand hat eine Toleranz von 10 %. Bei einem nominalen Widerstandswert von 5,6 kΩ liegt der tatsächliche Wert zwischen

A: 5040 und 6160 Ω.
B: 5,2 und 6,3 kΩ.
C: 4760 und 6440 Ω.
D: 4,7 und 6,8 kΩ.
Welche Bauart von Widerstand folgender Auswahl ist am besten für eine künstliche Antenne (Dummy Load) geeignet?

A: Ein Metalloxidwiderstand
B: Ein keramischer Drahtwiderstand
C: Ein Kohleschichtwiderstand
D: Ein frei gewickelter Drahtwiderstand aus Kupferdraht
Welchen Wert hat ein SMD-Widerstand mit der Kennzeichnung 221?

A: 220 Ω
B: 22 Ω
C: 22 kΩ
D: 221 Ω
Welchen Wert hat ein SMD-Widerstand mit der Kennzeichnung 223?

A: 22 Ω
B: 22 kΩ
C: 221 Ω
D: 220 Ω
Welche Aussage zur Kapazität eines Plattenkondensators ist richtig?

A: Je grösser die Plattenoberfläche ist, desto kleiner ist die Kapazität.
B: Je grösser die angelegte Spannung ist, desto kleiner ist die Kapazität.
C: Je grösser der Plattenabstand ist, desto kleiner ist die Kapazität.
D: Je grösser die Dielektrizitätszahl ist, desto kleiner ist die Kapazität.
Ein Bauelement, bei dem sich Platten auf einer isolierten Achse befinden, die zwischen fest stehende Platten hineingedreht werden können, nennt man

A: Keramischer Kondensator.
B: Rotorkondensator.
C: Tauchkondensator.
D: Drehkondensator.
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Welche Kapazität hat nebenstehend abgebildeter Kondensator?


A: 3,3 µF
B: 33000 µF
C: 330 µF
D: 33 µF
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Welche Kapazität hat nebenstehend abgebildeter Kondensator?


A: 4,7 pF
B: 47 pF
C: 47000 pF
D: 470 pF
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Welche Kapazität hat nebenstehend abgebildeter Kondensator?


A: 820 pF
B: 0,82 pF
C: 8,2 pF
D: 82 pF
Drei Kondensatoren mit den Kapazitäten C1 = 0,1 µF, C2 = 150 nF und C3 = 50000 pF werden parallel geschaltet. Wie gross ist die Gesamtkapazität?

A: 0,027 µF
B: 0,3 µF
C: 0,255 µF
D: 2,73 nF
Bei welchem der folgenden Bauformen von Kondensatoren muss beim Einbau auf die Polarität geachtet werden?

A: Keramischer Kondensator
B: Plattenkondensator
C: Styroflexkondensator
D: Elektrolytkondensator
Mit zunehmender Frequenz

A: steigt der Wechselstromwiderstand von Kondensatoren bis zu einem Maximum und sinkt dann wieder.
B: steigt der Wechselstromwiderstand von Kondensatoren.
C: sinkt der Wechselstromwiderstand von Kondensatoren.
D: sinkt der Wechselstromwiderstand von Kondensatoren bis zu einem Minimum und steigt dann wieder.
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Wie ändert sich die Induktivität einer Spule von 12 µH, wenn die Windungszahl bei gleicher Wickellänge verdoppelt wird?


A: Die Induktivität sinkt auf 6 µH.
B: Die Induktivität sinkt auf 3 µH.
C: Die Induktivität steigt auf 48 µH.
D: Die Induktivität steigt auf 24 µH.
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Wie ändert sich die Induktivität einer Spule von 12 µH, wenn die Wicklung auf dem Wickelkörper bei gleicher Windungszahl auf die doppelte Länge auseinander gezogen wird?


A: Die Induktivität steigt auf 24 µH.
B: Die Induktivität sinkt auf 6 µH.
C: Die Induktivität steigt auf 48 µH.
D: Die Induktivität sinkt auf 3 µH.
Wie kann man die Induktivität einer Spule vergrössern?

A: Durch Stauchen der Spule (Verkürzen der Spulenlänge).
B: Durch Einführen eines Kupferkerns in die Spule.
C: Durch Auseinanderziehen der Spule (Vergrösserung der Spulenlänge).
D: Durch Einbau der Spule in einen Abschirmbecher.
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Das folgende Bild zeigt einen Kern, um den ein Kabel für den Bau einer Netzdrossel gewickelt ist. Der Kern sollte aus


A: Kunststoff bestehen.
B: Stahl bestehen.
C: Ferrit bestehen.
D: aus gut leitendem Material bestehen.
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Schaltet man zwei Glühlampen gleichzeitig an eine Spannungsquelle, wobei eine Glühlampe zum Helligkeitsausgleich über einen Widerstand und die andere über eine Spule mit vielen Windungen und Eisenkern angeschlossen ist, so


A: leuchten H1 und H2 genau gleich schnell.
B: leuchtet H1 zuerst.
C: leuchtet H2 kurz auf und geht wieder aus. H1 leuchtet.
D: leuchtet H2 zuerst.
Mit zunehmender Frequenz

A: steigt der Wechselstromwiderstand einer Spule bis zu einem Maximum und sinkt dann wieder.
B: steigt der Wechselstromwiderstand einer Spule.
C: sinkt der Wechselstromwiderstand einer Spule.
D: sinkt der Wechselstromwiderstand einer Spule bis zu einem Minimum und steigt dann wieder.
Ein Trafo liegt an 230 Volt und gibt 11,5 Volt ab. Seine Primärwicklung hat 600 Windungen. Wie gross ist seine Sekundärwindungszahl?

A: 30 Windungen
B: 180 Windungen
C: 20 Windungen
D: 52 Windungen
Ein Trafo liegt an 45 Volt und gibt 180 Volt ab. Seine Primärwicklung hat 150 Windungen. Wie gross ist seine Sekundärwindungszahl?

A: 850 Windungen
B: 600 Windungen
C: 46 Windungen
D: 30 Windungen
Die Primärspule eines Übertragers hat die fünffache Anzahl von Windungen der Sekundärspule. Wie hoch ist die erwartete Sekundärspannung, wenn die Primärspule an eine 230-V-Stromversorgung angeschlossen wird?

A: 9,2 Volt
B: 1150 Volt
C: 46 Volt
D: 23 Volt
P-dotiertes Halbleitermaterial ist solches, das mit einem zusätzlichen Stoff versehen wurde, der

A: genau vier Valenzelektronen enthält.
B: weniger als vier Valenzelektronen enthält.
C: keine Valenzelektronen enthält.
D: mehr als vier Valenzelektronen enthält.
N-leitendes Halbleitermaterial ist gekennzeichnet durch

A: bewegliche Elektronenlücken.
B: das Fehlen von Dotierungsatomen.
C: Überschuss an freien Elektronen.
D: das Fehlen von Atomen im Gitter des Halbleiterkristalls.
Ein in Durchlassrichtung betriebener PN-Übergang ermöglicht

A: den Stromfluss von N nach P.
B: den Elektronenfluss von P nach N.
C: keinen Stromfluss.
D: den Stromfluss von P nach N.
Eine in Sperrrichtung betriebene Diode hat

A: eine geringe Impedanz.
B: eine hohe Induktivität.
C: einen hohen Widerstand.
D: eine hohe Kapazität.
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Die Auswahlantworten enthalten Siliziumdioden mit unterschiedlichen Arbeitspunkten. Bei welcher Antwort befindet sich die Diode in leitendem Zustand?
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Die Auswahlantworten enthalten Siliziumdioden mit unterschiedlichen Arbeitspunkten. Bei welcher Antwort befindet sich die Diode in leitendem Zustand?
Wie verhält sich die Kapazität einer Kapazitätsdiode (Varicap)?

A: Sie nimmt mit zunehmender Sperrspannung zu.
B: Sie nimmt mit abnehmender Sperrspannung zu.
C: Sie erhöht sich mit zunehmender Durchlassspannung.
D: Sie erhöht sich mit zunehmendem Durchlassstrom.
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Wozu dient folgende Schaltung?

Sie dient

A: als Leuchtanzeige.
B: zur Spannungsstabilisierung.
C: zur Stromgewinnung.
D: zur Signalbegrenzung.
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Wozu dient die folgende Schaltung?

Sie dient

A: als Leuchtanzeige.
B: zur Stromgewinnung.
C: zur Spannungsstabilisierung.
D: zur Signalbegrenzung.
Was versteht man unter Stromverstärkung beim Transistor?

A: Mit einem geringen Strom (Basisstrom) wird ein grosser Strom (Kollektorstrom) gesteuert.
B: Mit einem geringen Strom (Emitterstrom) wird ein grosser Strom (Kollektorstrom) gesteuert.
C: Mit einem geringen Strom (Emitterstrom) wird ein grosser Strom (Basisstrom) gesteuert.
D: Mit einem geringen Strom (Kollektorstrom) wird ein grosser Strom (Emitterstrom) gesteuert.
Das Verhältnis von Kollektorstrom zum Basisstrom eines Transistors liegt üblicherweise im Bereich von

A: 1000 zu 1 bis 5000 zu 1.
B: 1 zu 100 bis 1 zu 500.
C: 1 zu 50 bis 1 zu 100.
D: 10 zu 1 bis 900 zu 1.
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Bei diesem Bauelement handelt es sich um einen


A: MOSFET.
B: PNP-Transistor.
C: NPN-Transistor.
D: Sperrschicht-FET.
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Bei diesem Bauelement handelt es sich um einen


A: PNP-Transistor.
B: NPN-Transistor.
C: N-Kanal-FET.
D: P-Kanal-FET.
Welche Kollektorspannungen haben NPN- und PNP-Transistoren?

A: PNP-Transistoren benötigen positive, NPN-Transistoren negative Kollektorspannung.
B: NPN-Transistoren benötigen positive, PNP-Transistoren negative Kollektorspannungen.
C: NPN- und PNP-Transistoren benötigen negative Kollektorspannungen.
D: PNP- und NPN-Transistoren benötigen positive Kollektorspannungen.
Bei einem bipolaren Transistor in leitendem Zustand befindet sich die Emitter-Basis-Diode

A: im Kurzschluss.
B: im Leerlauf.
C: in Sperrrichtung.
D: in Durchlassrichtung.
Welche Transistortypen sind bipolare Transistoren?

A: Dual-Gate-MOS-FETs
B: NPN- und PNP-Transistoren
C: Isolierschicht-FETs
D: Sperrschicht-FETs
Wie lauten die Bezeichnungen der Anschlüsse eines bipolaren Transistors?

A: Emitter, Drain, Source
B: Emitter, Basis, Kollektor
C: Drain, Source, Kollektor
D: Drain, Gate, Source
Ein bipolarer Transistor ist

A: spannungsgesteuert.
B: thermisch gesteuert.
C: stromgesteuert.
D: ein Gleichspannungsverstärker.
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