HB9ID Amateurfunkkurse
Fragen aus dem blauen Moltecht Lehrmitten für die Amateurfunk Prüfung Klasse E / HB3Fragen aus den BAKOM Fragenkatalog Vorschrften (Vers. 2023)
Fragen aus dem blauen Moltecht Lehrmitten für die Amateurfunk Prüfung Klasse E / HB3Fragen aus den BAKOM Fragenkatalog Vorschrften (Vers. 2023)
384
0.0 (0)
J. M.
J. M.
Diese Lernkarten vertiefen technische Grundlagen und Vorschriften des Amateurfunks, insbesondere zu Antennen, Frequenzen, Schaltungen und Sicherheitsbestimmungen. Sie behandeln Themen wie Installation, Erdung, Blitzschutz und Personenschutzabstände sowie relevante elektrotechnische Größen wie Leistung, Widerstand und Feldstärken. Ideal für angehende Funkamateure und Technikinteressierte, die ihr Wissen für Prüfungen oder den praktischen Betrieb erweitern möchten.
-
- 1 / 384
-
Cartes-fiches
A: fliesst kein Kollektorstrom.
B: liegt der Kollektorstrom zwischen 10 mA und 2 A.
C: fliesst ein Kollektorstrom von etwa 0,6 A.
D: fliesst ein sehr hoher Kollektor-Kurzschlussstrom.
A: Der Gatestrom steuert den Widerstand des Kanals zwischen Source und Drain.
B: Der Gatestrom ist allein verantwortlich für den Drainstrom.
C: Die Gatespannung steuert den Widerstand des Kanals zwischen Source und Drain.
D: Die Gatespannung ist allein verantwortlich für den Drainstrom.
A: 1: Source, 2: Drain, 3: Gate
B: 1: Anode, 2: Katode, 3: Gate
C: 1: Kollektor, 2: Emitter, 3: Basis
D: 1: Drain, 2: Source, 3: Gate
Gegeben:
R\(_1\) = 500 Ω, R\(_2\) = 1000 Ω und R\(_3\) = 1 kΩ
A: 2,5 kΩ
B: 1 kΩ
C: 5,1 kΩ
D: 501 Ω
Gegeben:
R\(_1\) = 1 kΩ, R\(_2\) = 2000 Ω und R\(_3\) = 2 kΩ
A: 5,1 kΩ
B: 501 Ω
C: 2 kΩ
D: 2,5 kΩ
Gegeben:
R\(_1\) = 500 Ω, R\(_2\) = 500 Ω und R\(_3\) = 1 kΩ
A: 1 kΩ
B: 500 Ω
C: 2 kΩ
D: 250 Ω
Gegeben:
R\(_1\) = 500 Ω, R\(_2\) = 1,5 kΩ und R\(_3\) = 2 kΩ
A: 500 Ω
B: 2 kΩ
C: 1 kΩ
D: 4 kΩ
Gegeben:
C\(_1\) = 0,01 µF; C\(_2\) = 5 nF, C\(_3\) = 5000 pF
A: 5 nF
B: 10 nF
C: 0,015 nF
D: 7,5 nF
Gegeben:
C\(_1\) = 0,02 µF; C\(_2\) = 10 nF; C\(_3\) = 10000 pF
A: 5 nF
B: 10 nF
C: 2,5 nF
D: 40 nF
Gegeben:
C\(_1\) = 0,01 µF; C\(_2\) = 10 nF; C\(_3\) = 5000 pF
A: 2,5 nF
B: 10 nF
C: 0,015 nF
D: 5 nF
A: 10,0 V
B: 2,64 V
C: 2,20 V
D: 1,22 V
A: 12 Ω
B: 3,5 Ω
C: 15 Ω
D: 50 Ω
A: 75 Ω
B: 17,5 Ω
C: 250 Ω
D: 60 Ω
A: einer Induktivität.
B: eines Serienschwingkreises.
C: eines Parallelschwingkreises.
D: einer Kapazität.
A: einen Serienschwingkreis.
B: einen Kondensator.
C: eine Spule.
D: einen Parallelschwingkreis.
1. die Spule weniger Windungen erhält,
2. die Länge der Spule durch Zusammenschieben der Drahtwicklung verringert wird,
3. ein Ferritkern in das Innere der Spule gebracht wird?
A: Die Resonanzfrequenz wird bei 1. und 2. grösser und bei 3. kleiner.
B: Die Resonanzfrequenz wird bei 1. kleiner und bei 2. und 3. grösser.
C: Die Resonanzfrequenz wird bei 1. und 2. kleiner und bei 3. grösser.
D: Die Resonanzfrequenz wird bei 1. grösser und bei 2. und 3. kleiner.
A: Wie ein Kondensator mit sehr kleiner Kapazität.
B: Wie eine Spule mit sehr grosser Induktivität.
C: Wie ein hochohmiger Widerstand.
D: Wie ein niederohmiger Widerstand.
A: Tiefpass
B: Sperrkreis
C: Hochpass
D: Bandpass
A: Sperrkreis
B: Saugkreis
C: Bandpass
D: Tiefpass
A: Hochpass
B: Tiefpass
C: Bandpass
D: Sperrkreis
A: Tiefpass
B: Bandpass
C: Saugkreis
D: Sperrkreis
A: Frequenzen oberhalb der Grenzfrequenz werden durchgelassen.
B: Frequenzen oberhalb der Grenzfrequenz werden stark bedämpft.
C: Frequenzen unterhalb der Grenzfrequenz werden verstärkt.
D: Frequenzen unterhalb der Grenzfrequenz werden ungedämpft durchgelassen.
A: Spannungsquellen sollten einen möglichst niedrigen Innenwiderstand und Stromquellen einen möglichst hohen Innenwiderstand haben.
B: Spannungsquellen sollten einen möglichst hohen Innenwiderstand und Stromquellen einen möglichst niedrigen Innenwiderstand haben.
C: Strom- und Spannungsquellen sollten einen möglichst niedrigen Innenwiderstand haben.
D: Strom- und Spannungsquellen sollten einen möglichst hohen Innenwiderstand haben.
A: 13,5 Ω
B: 12,4 Ω
C: 1,2 Ω
D: 1,1 Ω
A: 6,75 Ω
B: 6,5 Ω
C: 13 Ω
D: 0,25 Ω
A: Zirka 65 Volt
B: Zirka 46 Volt
C: Zirka 28 Volt
D: Zirka 40 Volt
A: Zirka 28 Volt
B: Zirka 40 Volt
C: Zirka 65 Volt
D: Zirka 46 Volt
A: Ein Schaltnetzteil benötigt einen grösseren Transformator.
B: Ein Schaltnetzteil erzeugt Oberwellen seiner Taktfrequenz, die beim Empfang zu Störungen führen können.
C: Ein Schaltnetzteil hat höhere Verluste.
D: Ein Schaltnetzteil kann keine so hohen Ströme abgeben.
A: Transistor, MOSFET, Halbleiterdiode, Röhre
B: Transistor, Halbleiterdiode, Operationsverstärker, Röhre
C: Transistor, Varicap-Diode, Operationsverstärker, Röhre
D: Transistor, MOSFET, Operationsverstärker, Röhre
A: das Ausgangssignal gegenüber dem Eingangssignal in der Leistung grösser ist.
B: z.B. bei einem Transformator die Ausgangsspannung grösser ist als die Eingangsspannung.
C: das Eingangssignal gegenüber dem Ausgangssignal in der Leistung grösser ist.
D: das Eingangssignal gegenüber dem Ausgangssignal in der Spannung grösser ist.
A: Operationsverstärker sind in Empfängerstufen eingebaute Analogverstärker mit sehr niedrigem Verstärkungsfaktor aber grosser Linearität.
B: Operationsverstärker sind Wechselstrom gekoppelte Verstärker mit niedrigem Eingangswiderstand und grosser Linearität.
C: Operationsverstärker sind digitale Schaltkreise mit hohem Verstärkungsfaktor.
D: Operationsverstärker sind Gleichstrom gekoppelte Verstärker mit sehr hohem Verstärkungsfaktor und grosser Linearität.
A: eine komplexe Schaltung auf einem Halbleiterkristallplättchen.
B: eine Zusammenschaltung verschiedener Baugruppen zu einer Funktionseinheit.
C: eine aus vielen einzelnen Bauteilen aufgebaute Schaltung auf einer Platine.
D: eine miniaturisierte, aus SMD-Bauteilen aufgebaute Schaltung.
A: Die Anodenspannung steuert das magnetische Feld an der Anode und damit den Anodenstrom.
B: Die Katodenvorspannung steuert das magnetische Feld an der Kathode und damit den Gitterstrom.
C: Die Heizspannung steuert das elektrische Feld an der Kathode und damit den Anodenstrom.
D: Das von der Gitterspannung hervorgerufene elektrische Feld steuert den Anodenstrom.
A: wird einem oder mehreren Trägern Informationen entnommen.
B: werden Informationen auf einen oder mehrere Träger übertragen.
C: werden dem Signal NF-Komponenten entnommen.
D: werden Sprach- und CW-Signale kombiniert.
A: wird die Frequenz des Trägers beeinflusst. Die Amplitude des Trägers bleibt dabei konstant.
B: wird die Amplitude des Trägers beeinflusst. Die Frequenz des Trägers bleibt dabei konstant.
C: werden gleichzeitig Frequenz und Amplitude des Trägers beeinflusst.
D: findet keinerlei Beeinflussung von Trägerfrequenz oder Trägeramplitude statt. Die Information steuert nur die Kapazität des Oszillators.
A: der Träger unterdrückt und ein Seitenband hinzugesetzt werden.
B: der Träger und ein Seitenband unterdrückt oder ausgefiltert werden.
C: der Träger hinzugesetzt und ein Seitenband ausgefiltert werden.
D: der Träger unterdrückt und beide Seitenbänder ausgefiltert werden.
A: Im Balancemodulator wird ein Zweiseitenband-Signal erzeugt. Das Seitenbandfilter selektiert ein Seitenband heraus.
B: Im Balancemodulator wird ein Zweiseitenband-Signal erzeugt. In einem Frequenzteiler wird ein Seitenband abgespalten.
C: Im Balancemodulator wird ein Zweiseitenband-Signal erzeugt. Ein auf die Trägerfrequenz abgestimmter Saugkreis filtert den Träger aus.
D: Im Balancemodulator wird ein Einseitenband-Signal erzeugt. Ein auf die Trägerfrequenz abgestimmter Sperrkreis filtert den Träger aus.
A: Es ist ein FM-Modulator.
B: Es ist ein sehr schmales Filter.
C: Es ist ein Messgerät zur Anzeige von Schwingungen.
D: Es ist ein Schwingungserzeuger.
A: durch einen hochstabilen Quarz bestimmt wird.
B: von einer Spule und einem Kondensator (LC-Schwingkreis) bestimmt wird.
C: mittels LC-Hochpass gefiltert wird.
D: mittels LC-Tiefpass gefiltert wird.
