Space P
Tu Dresden
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Cartes-fiches
Störstellenhalbleiter
"Einbau" von Fremdatomen in Halbleiterkristall
5-wertige Fremdatome in 4-wertigen Halbleiter (z.B. As, Sb in Si, Ge) Þ geben leicht "überzähliges" Elektron an das Leitungsband des Halbleiters ab (Donatoren Þ n-Typ).
führt zu frei beweglichen Elektronen im Leitungsband und zu positiven unbeweglichen Donatorionen Þ Überschusshalbleitung
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3-wertige Fremdatome in 4-wertigen Halbleiter (z.B. B, Ga in Si, Ge) Þ nehmen leicht ein Elektron aus dem Valenzband auf (Akzeptoren Þ p-Typ) Þ bewegliche Löcher im Valenzband (und unbewegliche, einfach negativ geladene Akzeptorionen) Þ Mangelhalbleitung
Konventionelle galvanische Elemente
Reagierende Stoffe sind chemisch an die Elektrode gebunden
d.h. die Elektrode wird verbraucht Ø Batterien
Unkonventionelle galvanische Elemente
Reagierender Stoff wird zur Elektrode geführt, d.h. kein Abbau der Elektrode
Brennstoffzellen