Oberflächentechnik

Prüfungsvorbereitung

Prüfungsvorbereitung


L. D.
Diese Karteikarten bieten einen umfassenden Überblick über die Oberflächentechnik auf Universitätsniveau. Sie decken die Prinzipien und Prozesse von CVD und PVD, die Vor- und Nachteile dieser Verfahren, sowie die Eigenschaften von Schichten und Bauteilen ab. Die Karteikarten sind besonders nützlich für Studierende und Fachleute, die sich mit der Herstellung und Analyse von Oberflächenbeschichtungen befassen, da sie detaillierte Informationen zu den verschiedenen Techniken und deren Anwendungen liefern.
Flashcards
58
Students
3
Language
German
Category
Technology
Level
University
Created / Updated
22.06.2020 / 25.06.2020

Flashcards

Wie ist der Dampfdruck über eine Flüssigkeit definiert?

Unter dem Dmpfdruck versteht man den Partikeldruck eines Gases, das im thermodynamischen GGW mit seiner Flüssigkeit oder dem Festkörper steht.

Was besagt die Clausius-Clapeyon Gleichung?

Die Gleichung beschreibt die Phasengrenzlinie eines Phasendiagramms zwischen flüssiger und gasförmiger Phase eines Stoffes.

Was besagt das Raoulsche-Gesetz

Das Raoulsche-Gesetz ist eine lineare Näherung für den Dampfdruck flüssiger Gemische.

Nenne die 3 Phasen der Schichtbildung bei PVD-Prozessen.

1. Verdampfen

2. Partikeltransport in der Gasphase

3. Kondensation

Was kennzeichnet ein amorphes Material?

Sie besitzen keine geordnete Atomstruktur, nur Nahordnung, keine Fernordnung

Was versteht man unter dem Gefüge eines Werkstoffes

Gefüge=Mikrostruktur

Kennzeichnet die Beschaffenheit des Werkstoffes in seinen Teilvolumina (in erster Näherung homogen)

Welchen Einfluss hat die Beschichtungstemperatur bei PVD Prozessen?

Beeinflusst Beweglichkeit der Atome in der aufwachsenden Schicht

Beeinflusst Kristallinität und das Gefüge

Ist sie zu gering entstehen Morphe Schichten

Wie beeinflusst die Positionierung des Substrats und des Bauteils den PVD Prozess?

Je näher das Bauteil am Substrat desto mehr Teilchen kommen an

Komplexe Bauteile müssen während des Prozesses ausgerichtet oder rotiert werden

Das Schochtwachstum erfolgt bevorzugt entlang der Quellen-Substratachse

Beschreibe das Verfahrensprinzip beim Vakuumbestäuben.

Verfahrensprinzip:

Bombardieren eines Targets mit Ionen

Prozess läuft im Vakuum zur Verminderung von Stoßprozessen zwischen Gasteilchen

Verwendung von Prozessgasen als Ionenlieferanten

Negative Spannung am Target beschleunigt positiv geladene Ionen

Herauslösen von Teilchen (Zerstäuben)

Transport und Kondensation auf dem kalten Bauteil

(Schichten aus Metall, Legierungen und Keramik herstellbar)

Für welche Anwendungen wird Plasma in der Oberflächentechnik verwendet?

Oberflächen abtragen, aktivieren oder reinigen

Thermochemische Wärmebehandlung initiieren (Nitrieren, Aufkohlen)

Elemente die für eine Schichtbildung notwendig sind, vom festen in den dampfförmigen Zustand überführen

Chemische Reaktionen auslösen

Schichten mit besonderen Eigenschaften erzeugen

Beschreibe das Prinzip der Magnetron-Kathodenzerstäubung.

Elektronen und Sekundärelektronen werden durch das magnetische Feld auf Spiralbahnen gezwungen: 

Längere Verweildauer

Mehr Stöße zwischen Elektronen und Prozessgas

Höherer Ionisierungsgrad

Durch das Magnetfeld verursachter Abtrag des Targetmaterials

Welche Konsequenzen hat die Magnetron-Kathodenzerstäubung?

Keine vollständige Materialausnutzung des Targets (Max. 50%)

Änderung der Zerstäubungsrate durch Verändrung der Position des Magnetfeldes

Mögliche Änderung der Zusammensetzung der Schicht bei Legierungen

Welchen Vorteil und welchen Nachteil hat ein rotierendes Target?

Vorteil: hohe Materialausnutzung, lange Standzeit

Nachteil: technisch aufwendig und teuer

Nenne zwei wichtige Wechselwirkungsprozesse.

Kollisionskaskaden, thermischer Spike

Was sind Stoßkaskaden in einem Festkörper?

Atom-Atom Zweierstöße

Teil der eingestreuten Energie wird an die Oberfläche zurückgestreut 

Nach Überschreitung der Oberflächenbindunhsenergie verlassen Atome den Festkörperverbund

Restenergie führt zur Erwärmung

Wie entstehen thermische Spikes?

Hohe Ionenenergie oder schwere Ionen bewirken dichte Kaskaden

Spikes sind einer lokalen Schmelze ähnlich

Wovon ist die Zerstäubungsrate abhängig?

Ionenbeschuss, Sputterausbeute

Sputterausbeute: zerstäubte Atome aus der Targetoberfläche pro stoßende Ionen auf der Targetoberfläche

Technisch nutzbarere Bereich: 0,5-3

Was bedeutet Targetvergiftung?

Ein Target kann vergiften, wenn Gasteilchen die eingeleitet werden an die Targetteilchen an der Targetoberfläche bindet und somit die Zerstäubungsoberfläche versperrt. (Oxidschicht)

Bei vollständiger Bedeckung sinkt die Schichtwachstumsrate schlagartig, da sie Zerstäubung beinahe erlischt.

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