ELO 1
Fragen zu Eletronik 1 Kehl Guido, OST-RJ
Fragen zu Eletronik 1 Kehl Guido, OST-RJ
Welches ist das wichtigste Halbleitermaterial für die Herstellung von elektronischen Bauteilen?
Silizium
Wieviele Nachbaratome hat ein Halbleiter-Atom im Kristallgitter?
4
Welches sind die Majoritätsträger im n-dotierten Halbleitermaterial?
Elektronen
Was ist eine Raumladungszone?
Zone ohne freie Ladungsträger (zwischen n- und p-dotiertem Material)
Weshalb sperrt ein pn-Übergang beim Anlegen einer negativen Spannung?
Ladungsträger werden von externer Spannung angezogen (Elektronen von Plus-, Löcher von Minusspannung). Raumladungszone wird damit breiter, es fliesst kein Strom.
Für welches Bauteil ist die untere Abbildung das Kleinsignal-Ersatzschaltbild?
Bipolartransistor
Welches sind die wichtigsten Unterschiede zwischen Bipolar- und FeldeffektTransistoren?
Bipolartransistor: Basisstrom steuert Kollektorstrom, exponentieller Zusammenhang FET: Gate-Spannung steuert Drain-Strom, quadratischer Zusammenhang Kein Eingangsstrom beim FET.
Wie Zeichnen Sie den Basisstrom eines Bipolar-Transistors in Funktion von Vbe ein.?
Wie ist der Zusammenhang Spannung-Strom?
Exponentialfunktion
Wie gross ist der maximale Strom, der bei dieser Schaltung durch den Transistor fliessen kann?
~2mA (für Vin=VDD)
Welcher mathematische Zusammenhang besteht zwischen Id und Vin?
quaratisch
Wie gross muss der Widerstandswert sein, dass für Vin=2.5V Vout≈2.5V resultiert?
Bei Vin=2.5V Id~0.8mA -> R=3kOhm
Vin=2V Wie gross ist V(opn)?
Wieviel Strom fliesst durch
R11
R12
Rf
V(opn)=2V
R11: 300uA
R12: 200uA
Rf: 100uA
Wie gross ist Vout?
Vout= V(opn)-Rf*Irf=1V
Vin sei variabel. Wie gross ist die Verstärkung a = Vout/Vin?
a=3
Die allgemeine Formel lautet: Vout = a* Vin + b Bestimmen Sie a und b.
a= 3
b=-5
Der Operationsverstärker habe eine Offsetspannung von 5 mV. Bestimmen Sie die Werte für a1 und b1. Vout = a1* Vin + b1
a1=a=3 b1=-5V + 15mV
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Welches ist das wichtigste Halbleitermaterial für die Herstellung von elektronischen Bauteilen?
Silizium
Wieviele Nachbaratome hat ein Halbleiter-Atom im Kristallgitter?
4
Welches sind die Majoritätsträger im n-dotierten Halbleitermaterial?
Elektronen
Was ist eine Raumladungszone?
Zone ohne freie Ladungsträger (zwischen n- und p-dotiertem Material)
Weshalb sperrt ein pn-Übergang beim Anlegen einer negativen Spannung?
Ladungsträger werden von externer Spannung angezogen (Elektronen von Plus-, Löcher von Minusspannung). Raumladungszone wird damit breiter, es fliesst kein Strom.
Für welches Bauteil ist die untere Abbildung das Kleinsignal-Ersatzschaltbild?
Bipolartransistor
Welches sind die wichtigsten Unterschiede zwischen Bipolar- und FeldeffektTransistoren?
Bipolartransistor: Basisstrom steuert Kollektorstrom, exponentieller Zusammenhang FET: Gate-Spannung steuert Drain-Strom, quadratischer Zusammenhang Kein Eingangsstrom beim FET.
Wie Zeichnen Sie den Basisstrom eines Bipolar-Transistors in Funktion von Vbe ein.?
Wie ist der Zusammenhang Spannung-Strom?
Exponentialfunktion
Wie gross ist der maximale Strom, der bei dieser Schaltung durch den Transistor fliessen kann?
~2mA (für Vin=VDD)
Welcher mathematische Zusammenhang besteht zwischen Id und Vin?
quaratisch
Wie gross muss der Widerstandswert sein, dass für Vin=2.5V Vout≈2.5V resultiert?
Bei Vin=2.5V Id~0.8mA -> R=3kOhm
Vin=2V Wie gross ist V(opn)?
Wieviel Strom fliesst durch
R11
R12
Rf
V(opn)=2V
R11: 300uA
R12: 200uA
Rf: 100uA
Wie gross ist Vout?
Vout= V(opn)-Rf*Irf=1V
Vin sei variabel. Wie gross ist die Verstärkung a = Vout/Vin?
a=3
Die allgemeine Formel lautet: Vout = a* Vin + b Bestimmen Sie a und b.
a= 3
b=-5
Der Operationsverstärker habe eine Offsetspannung von 5 mV. Bestimmen Sie die Werte für a1 und b1. Vout = a1* Vin + b1
a1=a=3 b1=-5V + 15mV
