Verfahren und Analysemethoden der MST
Vorlesung 4
Vorlesung 4
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Kartei Details
| Karten | 28 |
|---|---|
| Sprache | Deutsch |
| Kategorie | Technik |
| Stufe | Universität |
| Erstellt / Aktualisiert | 11.04.2013 / 11.04.2013 |
| Lizenzierung | Kein Urheberrechtsschutz (CC0) |
| Weblink |
https://card2brain.ch/box/verfahren_und_analysemethoden_der_mst3
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Was ist die typische und was die maximale Dicke von natürlichen Oxid auf einem Si-Wafer bei RT und durchschnittlicher Luftfeuchte?
2nm, max 4nm
Was sind die beiden wesentlichen Schritte des RCA Standard-Reinigungsverfahrens von Si-Wafern?
- Entfernung organischer Filme und metallischer Verunreinigungen mittels einer alkalischen Lösung auf Ammoniaklauge mit Wasserstoffperoxid und deionisiertem Wasser im Mischverhältniss 1:1:5
- Entfernung alkalischer Ionen und weiterer metallischer Verunreinigungen mittels einer sauren Reinigungslösung basierend auf Salzsäure, mit Wasserstoffperoxid und deionisiertem Wasser im Mischverhältniss 1:1:6
Was ist der Hauprohstoff zur Herstellung von Silizium-Wafern?
Quarzsand
Was ist die Ordnungszahl von Silicium?
14
Was ist die Atommasse von Silicium?
28 g/mol
Wo liegt der Schmelzpunkt von Silicium?
1415°C
Wie viele Außenelektronen besitzt Silicium?
4
Nennen SIe die drei wichtigsten Verbindungen von Silicium
- SiO2 (Quarz, Seesand,...)
- Si3N4 (Siliziumnitrat)
- SiC (Siliziumcarbonat)
