BUSIII
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Kartei Details
| Karten | 72 |
|---|---|
| Sprache | Deutsch |
| Kategorie | Geographie |
| Stufe | Universität |
| Erstellt / Aktualisiert | 16.04.2016 / 16.07.2022 |
| Lizenzierung | Keine Angabe |
| Weblink |
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Welche Bedeutung hat die Abkürzung IGFET?
Insulated-Gate Field-Effekt Transistor
Das Gate ist durch eine Isolierschicht vom Kanal getrennt
Das Funktionsprinzip eines FET basiert auf der Steuerung des Widerstandes zwischen Drain und Source. Bitte erläutern Sie die beiden unterschiedlichen Prinzipien für die Steuerung!
Anreicherungsprinzip bei dem die Ladungsträger im Kristall unter dem Gate Angereichert werden.
Verarmungstyp bei dem die Ladungsträger im Kristall unter dem Gate verarmt werden.
Nennen Sie die 3 gemeinsamen Kennlinienmerkmale von MOSFET und PNFET!
• kleine Spannungen U_DS gekrümmter Verlauf (Anlaufbereich)
• bei steigender Spannung U_DS wird der Stromzuwachs immer geringer
• trotz steigender Spannung U_DS keine Stromerhöhung (Sättigungsbereich, Abschnürbereich)
Welche Eigenschaften kennzeichnen den FET im Vergleich zum Bipolartransistor?
- hoher Eingangswiderstand
- Spannungssteuerung am Gate
- so gut wie kein Stromfluss an Gate für niedrige Frequenzen
- Funktion als veränderbarer Widerstand
- geringes Rauschverhalten
- Empfindlichkeit gegen Radioaktive und Kosmische Strahlung geringer Thermisch stabiler, weil kein Thermischer Durchbruch, Schnelles Schaltverhalten weil nur Majoritätsträger vorhanden
In welcher Größenordnung liegen die Spannungen Up und Uth?
n-kanal Verarmungstyp
Uth = Up = -2V
p-kanal Verarmungstyp
Uth = Up = 2V
n-kanal Anreicherungstyp
Uth = 0,75V- 1V
p-kanal Anreicherungstyp
Uth = -0,75- -1V
Zeichnen Sie das Ausgangskennlinienfeld eines FET und kennzeichnen Sie den Anlaufbereich und den Abschnürrbereich sowie die Abschnürrspannung!
-Udss: Abschnürrspannung
-durchgezogene Linien: Anlaufbereich
-gestrichelte Linien: Abschnürrbereich
Erläutern Sie den Aufbau und die Funktion eines FET anhand einer Skizze!
...
Nennen Sie 3 charakteristische Unterschiede zwischen MOSFET und PNFET!
MOSFET haben wesentlich kleinere Gate- Source- Ströme als PNFET
MOSFET sind erheblich empfindlicher gegenüber Gate- Spannungsdurchbrüchen als PNFET .
Im NF- Bereich bis 100 kHz zeigen PNFET um den Faktor 10...1000 kleinere Rauschspannungen als MOSFET
