Verfahren und Analysemethoden der MST
Vorlesung 7
Vorlesung 7
Kartei Details
Karten | 44 |
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Sprache | Deutsch |
Kategorie | Technik |
Stufe | Universität |
Erstellt / Aktualisiert | 11.04.2013 / 11.04.2013 |
Lizenzierung | Kein Urheberrechtsschutz (CC0) |
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Wofür steht die Abkürzung CVD?
Chemical vapor deposition
Nennen Sie die 7 Teilprozesse in ihrer Reihenfolge beim CVD Prozess.
- Transport der Reaktanten durch erzwungene Konvektion in die Abscheide-Region
- Transport der Reaktanten durch Diffusion durch die Grenzschicht hindurch zur Substratoberfläche
- Adsorption der Reaktanden an der Substratoberfläche
- Oberflächenreaktion
- Desorption der flüchtigen Reaktionsnebenprodukten
- Transport der Reaktionsnebenprodukte mittels Diffusion durch Grenzschicht
- Abtransport der Reaktionsnebenprodukte durch erzwungene Konvektion
Welches ist der limitierende Prozessschritt veim CVD-Prozess bei niedriger/hoher Temperatur?
Niedrige Temperatur: Reaktionslimitierende Prozessführung (Oberflächenreaktion bestimmt Schichtwachstum)
HoHe Temperatur: Transport- diffusionslimitierende Prozessführung (Diffusionsvorgänge bestimmen Schichtwachstumsrate)
Erklären Sie die Begriffe heterogene und homogene CVD.
Heterogen: Schichtmaterial wird durch Reaktion der Gase an der Oberfläche des Substrats gebildet
Homogen: Schichtmaterial wird durch Reaktion abseits der Oberfläche des Substrats gebildet
Bei welchem CVD-Prozess werden bessere Schichten hergestellt? Homogene oder heterogene CVD?
Welche Möglichkeiten zur Energiezufuhr hat man bei der CVD Abscheidung?
- Thermische Energiezufuhr
- Elektrische Energiezufuhr (Plasma)
- Optische Energiezufuhr (Laser)
Nennen SIe Vorteile des CVD Verfahrens.
- Keine Reaktion mit Substratmaterial
- Hohe Reinheit der Schichten
- gute Kantenabdeckung
- Große Bandbreite an Materialien
- gute Prozesskontrolle durch Wahl der Gase, Termperatur, Druck und Massenflüsse
Nennen Sie Nachteile des CVD Verfahrens.
- relativ hohe Temperaturen notwendig (thermal stress)
- Einsatz toxischer Gase